以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質結材料,制作波長 2～14μm的紅外發(fā)光器件，用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb超晶格結構材料 ,制作中紅外量子級聯(lián)激光器。.這些紅外器件在氣體監(jiān)測、低損耗光纖通信等領域有良好的應用前景.此外, InAs 單晶具有很高的電子遷移率 ,是一種制作 Hall 器件的理想材料。作為單晶襯底 , InAs 材料需要具備低的位錯密度、 良好的晶格完整性、 合適的電學參數和較高的均勻性. InP單晶材料的主要生長方法是傳統(tǒng)液封直拉技術（LEC）。
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晶體
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結構
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晶向
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熔點
oC
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密度
g/cm3
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禁帶寬度
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InAs
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立方,
a=6.058 A
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<100>
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942
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5.66
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0.45
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單晶
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摻雜
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導電類型
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載流子濃度
cm-3
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遷移率(cm2/V.s)
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位錯密度(cm-2)
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標準基片
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InAs
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本征
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N
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5*1016
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2*104
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<5*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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InAs
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Sn
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N
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(5-20)*1017
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>2000
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<5*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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InAs
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Zn
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P
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(1-20) *1017
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100-300
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<5*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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InAs
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S
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N
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(1-10)*1017
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>2000
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<5*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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尺寸（mm）
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Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告 |
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拋光
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單面或雙面
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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