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　　碳化硅（SiC）單晶具有許多優(yōu)良的性質(zhì)，熱導(dǎo)率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強等，適合于制備高頻率、高功率、耐高溫以及耐輻照的電子器件。

碳化硅（SiC）單晶基片主要性能參數(shù)

生長方法	籽晶升華法 ,PVT（物理氣相傳輸）
晶體結(jié)構(gòu)	六方
晶格常數(shù)	a=3.08 Å     c=15.08 Å
密度	3.21 g/cm3
方向	生長軸或 偏<0001> 3.5 º
帶隙	3.26 eV (間接)
硬度	9.2（mohs）
熱傳導(dǎo)@300K	5 W/ cm.k
介電常數(shù)	e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， Dia2",Di3",Dia4"
厚度	0.35mm，
拋光	單面或雙面
晶向	<0001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
邊緣定向精度:	2°（特殊要求可達1°以內(nèi)）
斜切晶片	可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室