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　　鋁酸鑭（LaAlO3）單晶基片是當前最重要的工業(yè)化、大尺寸高溫超導薄膜基片單晶材料。它用提拉法生長，可以得到直徑2英吋及更大的單晶和基片。它與YBaCuO等高溫超導材料和晶格匹配好，介電常數(shù)較低，微波損耗小，因而適于制作高溫超導微波電子器件（如遠程通訊中的高溫超導微波濾波器等）。有巨大的現(xiàn)實及潛在的應(yīng)用前景。

鋁酸鑭（LaAlO3）單晶基片主要性能參數(shù)如下：

晶系	六方（常溫）	立方（>435℃）
晶格常數(shù)	六方a=5.357A   c=13.22 A	立方a=3.821 A
熔點（℃）	2080
密度	6.52（g/cm3）
硬度	6-6.5（mohs）
熱膨脹系數(shù)	9.4x10-6/℃
介電常數(shù)	ε=21
損耗正切（10ghz)	～3×10-4@300k,～0.6×10-4@77k
顏色及外觀	依退火狀況而不同，由棕黃色到褐色 拋光基片有自然孿晶疇
化學穩(wěn)定性	室溫下不溶于礦物酸，溫度大于150℃時可溶于h3po4
特點	適于微波電子器件
生長方法	提拉法
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″
厚度	0.5mm，1.0mm
拋光	單面或雙面
晶向	＜100＞  ＜110＞  ＜111＞
晶面定向精度:	±0.5°
邊緣定向精度:	2°（特殊要求可達1°以內(nèi)）
斜切晶片	可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室